DDR3是JEDEC标准定义的第3代双倍速率SDRAM内存标准。澜起科技推出的DDR3寄存缓冲芯片（RCD）和内存缓冲芯片（MB）符合JEDEC标准，可分别用于寄存双列直插内存模组（RDIMM）和减载双列直插内存模组（LRDIMM），为市面通用的服务器平台提供高速、高性能、低功耗的内存解决方案，助力云计算产业的快速发展。

DDR2是JEDEC标准定义的第2代双倍速率SDRAM内存标准。澜起科技研发的DDR2 高级内存缓冲芯片（AMB）性能优异并且功耗超低，可应用于全缓冲双列直插内存模组（FBDIMM），为服务器和工作站提供更好的基于FBDIMM的内存解决方案。